当前位置：首页 > 产品中心
新型碳化硅
汽车半导体巨头安森美详解碳化硅战略，目标三年内
2022年11月11日 在汽车电动化热潮下，一类新型半导体技术——碳化硅（SiC）材料成为市场追逐的热点。 碳化硅由硅和钻石的组成元素碳结合而成。 碳化硅技术适合用在功率 2024年3月12日 英飞凌凭借 CoolSiC™ MOSFET G2 将碳化硅的性能提升到了新的水平。 新一代碳化硅技术使厂商能够更快地设计出成本更低、结构更紧凑、性能更可靠，且效 英飞凌推出新一代碳化硅技术CoolSiC™ MOSFET G2，推动低
8英寸碳化硅单晶研究取得进展 中国科学院物理研究所
2022年4月25日 近期，团队通过优化生长工艺，进一步解决了多型相变问题，持续改善晶体结晶质量，成功生长出了单一4H晶型的8英寸SiC 晶体，晶坯厚度接近196 mm，加工出 2023年11月6日 由助理教授Richard Norte领导的代尔夫特理工大学的研究人员公布了一种引人注目的新材料，具有影响材料科学世界的潜力：非晶碳化硅（aSiC）。 除了其卓越的 首次发现！碳化硅成为微芯片传感器中的新型超强材料
顺利开幕2023碳化硅关键装备、工艺及其他新型半导
2023年5月6日 随着新能源汽车的普及及5G的商用，量产新能源车型中搭载碳化硅（SiC）以及5G基站功放使用碳化硅基氮化镓，催生了碳化硅产业链从衬底外延器件模块应用巨大的市场需求。 我国目前在以碳化 通过全球方法，在 SACADASamara 碳同素异形体数据库的 522 个纯碳结构中，用化学计量比为 1:1 的碳和硅原子替换碳原子，发现了六个具有直接带隙的新 SiC 相。 新发现 六种具有直接带隙的新型碳化硅：综合研究,Chemical
.jpg)
JPA5 Google Patents
Download PDF Info Publication number JPA5 JPA5 JPA JPA JPA5 JP A5 JP A5 JP A5 JP A JP A JP A JP A JP A JP A JP A5 JP A5 JP Download PDF Info Publication number JPA5 JPA5 JPA JPA JPA5 JP A5 JP A5 JP A5 JP A JP A JP A JP A JP A JP A JP A5 JP A5 JP JPA5 Google Patents
.jpg)
JPA5 Google Patents
Download PDF Info Publication number JPA5 JPA5 JPA JPA JPA5 JP A5 JP A5 JP A5 JP A JP A JP A JP A JP A JP A JP A5 JP A5 JP Download PDF Info Publication number JPA5 JPA5 JPA JPA JPA5 JP A5 JP A5 JP A5 JP A JP A JP A JP A JP A JP A JP A5 JP A5 JP JPA5 Google Patents
USA1 Semiconductor Device Google Patents
USA1 US12/866,528 USA USA1 US A1 US A1 US A1 US A US A US A US A1 US A1 US A1 Authority US United States Prior art keywords conductivity region type well type semiconductor device Prior art date 2008 Download PDF Info Publication number JPA5 JPA5 JPA JPA JPA5 JP A5 JP A5 JP A5 JP A JP A JP A JP A JP A JP A JP A5 JP A5 JP JPA5 Google Patents
.jpg)
USA Power switching MOS transistor Google Patents
USA US07/928,021 USA USA US A US A US A US A US A US A US A US A US A Authority US United States Prior art keywords semiconductive region regions psmos substrate Prior art date Legal status (The legal status is an CNB47A CN4A CN C CN C CN C CN B47 A CNB47 A CN B47A CN 4 A CN4 A CN 4A CN C CN C CN C Authority CN China Prior art keywords 碳化硅mos场效应晶体管以及其制造方法
JPA5 Google Patents
Download PDF Info Publication number JPA5 JPA5 JPA JPA JPA5 JP A5 JP A5 JP A5 JP A JP A JP A JP A JP A JP A JP A5 JP A5 JP Download PDF Info Publication number JPA5 JPA5 JPA JPA JPA5 JP A5 JP A5 JP A5 JP A JP A JP A JP A JP A JP A JP A5 JP A5 JP JPA5 Google Patents
CNA 碳化硅mos场效应晶体管以及其制造方法
CNA CNA47A CN4A CNA CN A CN A CN A CN A47 A CNA47 A CN A47A CN 4 A CN4 A CN 4A CN A CN A CN A Authority CN China Prior art keywords Download PDF Info Publication number JPA5 JPA5 JPA JPA JPA5 JP A5 JP A5 JP A5 JP A JP A JP A JP A JP A JP A JP A5 JP A5 JP JPA5 Google Patents
.jpg)
JPA5 Google Patents
Download PDF Info Publication number JPA5 JPA5 JPA JPA JPA5 JP A5 JP A5 JP A5 JP A JP A JP A JP A JP A JP A JP A5 JP A5 JP Download PDF Info Publication number JPA5 JPA5 JPA JPA JPA5 JP A5 JP A5 JP A5 JP A JP A JP A JP A JP A JP A JP A5 JP A5 JP JPA5 Google Patents
JPA5 Google Patents
Download PDF Info Publication number JPA5 JPA5 JPA JPA JPA5 JP A5 JP A5 JP A5 JP A JP A JP A JP A JP A JP A JP A5 JP A5 JP Download PDF Info Publication number JPA5 JPA5 JPA JPA JPA5 JP A5 JP A5 JP A5 JP A JP A JP A JP A JP A JP A JP A5 JP A5 JP JPA5 Google Patents
.jpg)
KRA 전력스위칭용모스트랜지스터 Google Patents
KRA KR68A KRA KRA KR A KR A KR A KR 68 A KR68 A KR 68A KR A KR A KR A KR A KR A KR A Authority KR South Korea Prior art keywords mos Download PDF Info Publication number JPA5 JPA5 JPA JPA JPA5 JP A5 JP A5 JP A5 JP A JP A JP A JP A JP A JP A JP A5 JP A5 JP JPA5 Google Patents
.jpg)
JPA5 Google Patents
Download PDF Info Publication number JPA5 JPA5 JPA JPA JPA5 JP A5 JP A5 JP A5 JP A JP A JP A JP A JP A JP A JP A5 JP A5 JP Download PDF Info Publication number JPA5 JPA5 JPA JPA JPA5 JP A5 JP A5 JP A5 JP A JP A JP A JP A JP A JP A JP A5 JP A5 JP JPA5 Google Patents
.jpg)
JPA5 Google Patents
Download PDF Info Publication number JPA5 JPA5 JPA JPA JPA5 JP A5 JP A5 JP A5 JP A JP A JP A JP A JP A JP A JP A5 JP A5 JP Download PDF Info Publication number JPA5 JPA5 JPA JPA JPA5 JP A5 JP A5 JP A5 JP A JP A JP A JP A JP A JP A JP A5 JP A5 JP JPA5 Google Patents
JPA5 Google Patents
Download PDF Info Publication number JPA5 JPA5 JPA JPA JPA5 JP A5 JP A5 JP A5 JP A JP A JP A JP A JP A JP A JP A5 JP A5 JP Download PDF Info Publication number JPA5 JPA5 JPA JPA JPA5 JP A5 JP A5 JP A5 JP A JP A JP A JP A JP A JP A JP A5 JP A5 JP JPA5 Google Patents
USA1 Semiconductor Device Google Patents
USA1 US12/866,528 USA USA1 US A1 US A1 US A1 US A US A US A US A1 US A1 US A1 Authority US United States Prior art keywords conductivity region type well type semiconductor device Prior art date 2008 Download PDF Info Publication number JPA5 JPA5 JPA JPA JPA5 JP A5 JP A5 JP A5 JP A JP A JP A JP A JP A JP A JP A5 JP A5 JP JPA5 Google Patents
.jpg)
USA Power switching MOS transistor Google Patents
USA US07/928,021 USA USA US A US A US A US A US A US A US A US A US A Authority US United States Prior art keywords semiconductive region regions psmos substrate Prior art date Legal status (The legal status is an CNB47A CN4A CN C CN C CN C CN B47 A CNB47 A CN B47A CN 4 A CN4 A CN 4A CN C CN C CN C Authority CN China Prior art keywords 碳化硅mos场效应晶体管以及其制造方法
.jpg)
JPA5 Google Patents
Download PDF Info Publication number JPA5 JPA5 JPA JPA JPA5 JP A5 JP A5 JP A5 JP A JP A JP A JP A JP A JP A JP A5 JP A5 JP Download PDF Info Publication number JPA5 JPA5 JPA JPA JPA5 JP A5 JP A5 JP A5 JP A JP A JP A JP A JP A JP A JP A5 JP A5 JP JPA5 Google Patents